存储器的工艺及技术发展

存储器工艺的发展

 第yi个半导体存储器是一种双极型的静态存储器，并且只有16位，集成度非常低，所以不能体现出它的优点。之后，MOSFET技术有了突破性的进展。由于MOS集成电路的集成密度大大优于双极型电路，并且有着自隔离等优点，因此，采用MOS工艺制作的半导体存储器便成为了当时主要的追求目标。之后，CMOS技术进入了成熟大发展阶段，它的维持功耗低，电路结构简单和可靠性好等，因此就很快的淘汰了NMOS存储器。

           在这期间主要的工艺进步就在于细微加工技术的进步。起初是2至3微米，后期进步到0.6至0.8亚微米工艺，再后来达到了0.2至0.3亚微米工艺，而今已经达到了68nm的工艺。

 工艺的进步使半导体存储器的集成度和不断的提高，过去不少专家预言集成电路达到1微米是极限，后来又预测0.5微米是极限。现在看来，这些预言在事实面前都宣告了失败。

存储器技术的发展

 随机存储器的电路技术方面也有着不少的突破和革新。由一开始的单元电路，变为六管单元，然后变成四管、三管单元，其后成功开发了单管单元。因为半导体随机存储器的主要追求目标是集成容量，也就是每片集成的单元数量。因此，单元电路用的管子越少越好。也就是说，单管单元是较好的单元电路。由于采用单管单元会带来读出信号小的问题，我们可以用灵敏的独出放大器来解决这一问题。

           近几十年来金属氧化物半导体（MOS)随机存储器的发展速度很快，这种存储器的集成度以平均每年1.5倍的速度在增长。1971年美国Intel公司研制出的半导体存储器件成功推向市场，得到了用户的初步应用。它的存储芯片采用三管存储单元，利用“1”和“0”分别代表电平的高和低。由于电容有漏电问题，因此，若想要保存信息则需要定期刷新，故称之为动态RAM（DRAM)。三管存储单元的出现，不仅提高了存储单元阵列的集成度，同时将存储器的译码器、数据输入输出缓冲电路和芯片控制电路也做在芯片上。

           在半导体存储器市场中，静态RAM（SRAM)也不断地在发展，SRAM不需要像DRAM    一样要定期刷新，它使用方便，而且速度也比较快，所以它适合稍小一些容器存储系统使用。SRAM与DRAM长期处于共存状态，MOSRAM的存储单元一般有4个MOS管和2个负载电阻组成，因而芯片单元面积较大，一般来说，在同一时期内SRAM的集成度约为DRAM的1/4。